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国内产业链已构建基本配套环境，进口替代提速，下游客户对国产核心供应商需求强烈，替代领域延伸至工控汽车白电等高门槛领域，化合物半导体积极卡位。

化合物半导体市场风起云涌，市场前景广阔。随着5G、IoT物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，GaAs是手机PA和Switch的主流材料，在5G时代仍占有重要地位，据集邦咨询预测，2023年中国手机砷化镓PA市场规模达到57.27亿美元。再者，以VCSEL为代表的光电器件可用于3D感知、LiDAR等新应用场景，未来亦将成为GaAs增长新的驱动力；GaN高频性能突出，是5G基站与数据中心器件的关键材料，并有望率先在快充领域大放异彩，Yole预计2023年全球GaN功率器件市场规模将达到13亿美元。此外，5G终端大用量规模与技术创新将为GaN射频前端带来红利，Yole预计到2025年，GaN射频器件将以55%的占有率取代当前硅基LDMOS第一的市场地位；目前SiC主要应用于新能源汽车及其配套充电桩等大功率场景，根据IHSMarkit数据，2019年SiC功率器件市场规模约6.1亿美元，受新能源汽车等领域快速崛起与光伏发电等“新基建”项目的需求驱动，2025年SiC功率器件的市场规模将达到30亿美元，年均复合增速达到30.4%。

2019 年中国锂化合物出口继续保持大幅增长显示出海外新能源汽车市场维持高增长态势，且氢氧化锂产品景气度高于碳酸锂。出口价格坚挺造成国内外价差拉阔，出口业务盈利水平显著高于国内。2020 年受益于海外新能源汽车市场发展，国内拥有氢氧化锂规模优势且出口业务占比高的企业预计将显著受益，推荐赣锋锂业，维持“买入”评级。

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第三代化合物半导体迎来快速成长期。目前绝大多数的集成电路以硅为原材料制作，具有集成度高、稳定性好、功耗低等优点。但摩尔定律逐渐遇到瓶颈，除了更高集成度的发展方向之外，通过不同材料在模拟IC上实现更优质的性能是发展方向之一。同时随着5G、新能源汽车等产业的发展，对高频、高功率、高压的半导体需求，硅基半导体由于材料特性难以完全满足，以GaAs、GaN、SiC为代表的第二代和第三代半导体迎来发展契机。

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截至2021年12月31日，共有29家上市物企发起53项并购，并购交易总额达355.88亿元，交易所付总代价为上年同期(94.30亿元)的3.77倍。仅第一季度,上市物企共计公告12起并购事件,交易金额总额115.21亿元，已超过2020年全年交易金额。

“下沉”和“扩展”是今年物联网市场的主流方向，同时也是未来整个物联网产业发展的趋势。同时对于物联网整体而言，需要处理各种不同类型的海梁的数据，进而催生了不同的芯片需求，5G芯片、AI芯片、量子芯片等成了新的增长点，报告结合上一版本的物联网产业生态图谱，对产业链各环节核心企业和机构继续进行调研，对原有图谱中细分内容进行更新，希望业界能够“一张图了解物联网产业全貌”。

从2016年起，物联网智库每年都会推出一份物联网产业生态全景图谱，跟踪产业生态进展、收集主要参与者信息、发掘行业发展趋势。我们继续坚持“从产业关联广度和深度观察，探索物联网如何对经济结构深刻变革带来的影响”的初衷，对过去一年的物联网市场进行回顾，形成最新版的物联网产业生态图谱。