全球SiC产业格局呈现美、欧、日三足鼎立格局，其中美国一家独大。随着中美贸易战的不断升级，半导体芯片领域成为了中美必争之地，伴随着华为再次被美制裁，高端装备等领域的国产化势在必行。此外，SiC材料和器件在军工国防领域的重要作用，也越来越突出。SiC外延设备在推劢产业链国产化迚程中，意义尤为重大。器件发展，材料先行，IDM模式将继续成为行业主流。SiC将会取代Si作为大部分功率器件的材料，但不会完全替代，因为数字芯片并不适合采用SiC对Si逆行替代，因此SiC预计占整个半导体行业10%左右。SiC主要应用在功率半导体上，因此IDM模式能够确保产品良率、控制成本。国内外差距没有一、二代半导体明显。先发优势是半导体行业的特点，Cree高市占率也印证了先发优势的重要性。相较于Si，国产厂商对SiC研究起步时间不国外厂商相差不多，因此国产厂商有希望追上国外厂商，完成国产替代。

相比于普通硅片分布在日韩美五个巨头手中，SIC晶片龙头70%以上的份额都在美国CREE和II-VI等公司，国产化也更迫切；目前国内的SIC晶片龙头山东天岳、天科合达等已经初具规模，第三代半导体SIC国内外差距较之前传统半导体领域有所减小，这一次SIC晶片产业爆发和国产替代会同时进行，相关公司将充分受益这一波第三代半导体产业红利。

SiC基功率器件有望取代Si基，超400亿美元市场待开拓：根据Omdia预计，2020年全球功率半导体市场规模约为431亿美元，至2024年将突破500亿美元。当前功率器件仍以Si基为主，但SiC基器件低能量损耗、耐高压、耐高温等优良特性更适合功率器件使用，渐有取代Si基器件之势。

现今，硅（Si）器件对于电力电子应用优化已经接近极限，而宽禁带材料碳化硅（SiC）制成的器件拥有卓越的开关性能、耐压能力及温度稳定性。我们认为，材料特征优异的SiC器件有望从增加续航里程、实现轻量化、提升用户体验等多方面满足新能源车的迭代需求。我们认为，目前SiC行业发展的痛点在于行业发展仍属初期，衬底材料高昂的制备成本和较低的良率带来的高售价，我们认为随着技术成熟及供应商产能扩张，SiC成本有望实现快速下降，SiC将在未来五年时间内从电控、车载充电机、DC/DC、快充桩等多个应用场景对Si-MOSFET/Si-IGBT形成规模替代。我们测算，2025年仅中国新能源车及充电桩对于SiC的产能需求超100万片6寸晶圆，器件市场规模超过60亿元，为本土企业发展提供了广阔的成长空间。我们看好SiC产业链相关上市公司的投资机会，器件侧建议关注斯达半导、三安光电、闻泰科技（未覆盖）、新洁能（未覆盖）；衬底侧建议关注露笑科技（未覆盖）；设备侧建议关注晶盛机电（未覆盖）、北方华创、华峰测控。

第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高击穿电场、高热导率及高电子饱和速率，因而更适合于制作高温、高频及大功率器件。2019年中国SiC、GaN电力电子器件应用市场中，消费电源是第一大应用，占比28%，工业及商业电源次之，占比26%，新能源汽车排第三，占比11%，未来随着SiC、GaN产品的成本下降，性价比优势开始凸显，将会有更多的应用场景。预测2027年SiC器件的市场规模将从2020的6亿美元增长至100亿美元，呈现高速增长态势。

第三代半导体大势所趋，新能源汽车为其带来巨大增量：第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。新能源汽车为SiC的最重要下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等，根据Yole数据，SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金，CAGR约51%。碳化硅基氮化镓外延射频器件将从2018年的6亿美金增加到2027年的34亿美金。碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，CAGR达44%。目前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。

化合物半导体市场风起云涌，市场前景广阔。随着5G、IoT物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，GaAs是手机PA和Switch的主流材料，在5G时代仍占有重要地位，据集邦咨询预测，2023年中国手机砷化镓PA市场规模达到57.27亿美元。再者，以VCSEL为代表的光电器件可用于3D感知、LiDAR等新应用场景，未来亦将成为GaAs增长新的驱动力；GaN高频性能突出，是5G基站与数据中心器件的关键材料，并有望率先在快充领域大放异彩，Yole预计2023年全球GaN功率器件市场规模将达到13亿美元。此外，5G终端大用量规模与技术创新将为GaN射频前端带来红利，Yole预计到2025年，GaN射频器件将以55%的占有率取代当前硅基LDMOS第一的市场地位；目前SiC主要应用于新能源汽车及其配套充电桩等大功率场景，根据IHSMarkit数据，2019年SiC功率器件市场规模约6.1亿美元，受新能源汽车等领域快速崛起与光伏发电等“新基建”项目的需求驱动，2025年SiC功率器件的市场规模将达到30亿美元，年均复合增速达到30.4%。

射频器件斱面，GaN受到5G推动。GaN射频器件衬底主要采用SiC衬底。Cree拥有最强的实力，在射频应用的GaNHEMT、尤其是GaN-on-SiC技术斱面，该公司处于领先地位，远远领先日系厂商住友电工和富士通。国内主要的厂商是海威华芯、三安集成和华进创威。功率器件斱面，快充将成为最大推动力。2019年OPPO、小米在新机型中采用了GaN快充器件，陹着终端客户积极推进，消费级GaN手机电源市场起量。除消费电子领域外，欧洲车企积极采纳，车规级GaN充电市场迎来需求增长。