科技行业新材料GaN专题报告：小米发布的GaN快充是什么？ 核心观点 小米2月13日新品发布会上推出明星产品65W GaN充电器，引发市场对GaN的关注。GaN材料具备高功率、高频率、高导热等优势，所做充电芯片实现了输出大功率的同时保持充电器体积可控。目前市面上已有多家厂商布局GaN快充，预计随着用户对便携性的需求提高，2025年全球GaN快充市场规模有望600多亿元，同时加速GaN芯片在其他新兴领域对Si基产品的替代。 小米发布性能强悍的65W GaN充电器。2月13号的小米新品发布会上，除小米10、小米WIFI6路由器等一系列电子产品外，小米还推出了一款体积非常小巧的充电器一小米GaN充电器Type-C 65W。该款充电器采用GaN充电芯片，最大充电功率为65W，充满配备4500 mAh电池的小米10Pro仅需45分钟。 GaN快充亮点：维持高速充电的同时体积控制优秀。充电器内部变压器和电容体积占比较大，同样功率下变压器和电容体积和电源频率成反比。传统Si基芯片受限于频率的提升，很难进一步降低。GaN芯片频率远高于Si，有效降低里内部变压器等原件体积，同时优秀的散热性能也使内部原件排布可以更加精密。 从性能和成本角度，GaN未来有望成为主流快充技术。对比GaAs和SiC两种主要化合物半导体，我们认为GaAs由于耐压水平不高，不适用于大功率应用。SiC虽然性能理论上可以用作快充，但是由于生产难度极高，目前价格昂贵，限制了大规模的使用。 【更多详情，请下载：科技行业新材料GaN专题报告：小米发布的GaN快充是什么？】