半导体行业射频功率放大器行业深度研究：5G时代，射频功率放大器需求有望多点开花 MIMO PA年复合增长率将达到135%。预计2022年，4G/ 5G基础设施用RF半导体的市场规模将达到16亿美元，其中，MIMO PA年复合增长率将达到135%，射频前端模块的年复合增长率将达到119%。 预计未来5~10年，GaN 将成为3W及以上RF功率应用的主流技术。根据Yole预测，2017年，全球GaN射频市场规模约为3.84亿美元，在3W以上(不含手机PA)的RF射频市场的渗透率超过20%。GaN在基站、雷达和航空应用中，正逐步取代LDMOS。随着数据通讯、更高运行频率和带宽的要求日益增长，GaN在基站和无线回程中的应用持续攀升。在未来的网络设计中，针对载波聚合和大规模输入输出(MIMO) 等新技术，GaN将凭借其高效率和高宽带性能，相比现有的LDMOS处于更有利的位置。未来5~10年内，预计GaN将逐步取代LDMOS,并逐渐成为3W及以上RF功率应用的主流技术。而GaAs将凭借其得到市场验证的可靠性和性价比，将确保其稳定的市场份额。LDMOS的市场份额则会逐步下降，预测期内将降至整体市场规模的15%左右。 到2023年，GaN RF器件市场规模达到13亿美元，约占3W以上的RF功率市场的45%。截止2018年底，整个RF GaN市场规模接近4.85亿美元。未来大多数低于6GHz的宏网络单元实施将使用GaN器件，无线基础设施应用占比将进一步提高至近43%。 【更多详情，请下载：半导体行业射频功率放大器行业深度研究：5G时代，射频功率放大器需求有望多点开花】