光刻胶（Photoresist简称PR）又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的有机混合物，用于微细图形加工；光刻胶的基本组分：树脂、溶剂、光引发剂、单体及其他助剂；光刻胶根据其感光树脂的化学结构可分为：光聚合型：采用烯类单体，在光照下生成自由基，进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，可制成负性胶；光分解型：采用含有叠氮醌类化合物材料，经光照后，发生光分解反应，由油溶性变为水溶性，可制成正性胶；光交联型：采用聚乙烯醇月桂酸酯作为光敏材料，在光的作用下，形成不溶性的网状结构聚合物，可制成负性胶。

光刻胶是半导体制造的核心材料，行业壁垒高;光刻胶是半导体制造工艺中光刻技术的核心材料，其品质直接决定集成电路的性能和良率，也是驱动摩尔定律得以实现的关键材料。光刻胶按照应用领域可以分为PCB、面板、半导体用光刻胶三大类，其中半导体光刻胶技术门烂最高，专利技术、原材料、设备验证、客户认证使得行业壁垒高筑。

本数据记录了2017年全球光刻胶生产企业市场份额,其中ArF/液浸ArF光刻胶占比41%

本数据记录了2011-2017年中国光刻胶产量,其中2017年光刻胶产量7.56万吨

本数据记录了2018年全球ASML、Nikon、Canon光刻机营收,其中ASML营收82.76亿欧元

该统计数据包含了2019年全球光刻胶市占率情况。其中，东京应化占比23%。

本数据记录了2011-2017年中国本土光刻胶产量,其中2017年产量4.41万吨

瓦森纳协议增加对EUV计算光刻软件的出口管制。根据瓦森纳主页，去年年底《瓦森纳安排》进行了新一轮修订，增加了计算光刻软件和12英寸硅片切割、研磨、抛光等方面的技术出口管制。新版《瓦森纳安排》是在原有版本基础上，增加了一条针对EUV光刻掩膜而设计的计算光刻软件内容，并保留对符合光源波长短于193nm，或MRF（最小可分辨特征尺寸）小于或等于45nm的光刻机的出口管制标准。

本数据记录了2011-2017年中国光刻胶需求量,其中2017年需求量7.99万吨

本数据记录了2011-2017年中国光刻胶市场规模,其中2017年规模58.7亿元

该统计数据包含了2019年全球半导体光刻胶市占率情况。其中，东京应化占比24%。

光刻胶是光电信息行业图形化方案核心材料，行业需求不断增长，国内增速显著高于海外，国外企业供应为主，半导体光刻胶持续增长，国产厂商持续发力， LCD光刻胶中国需求迎来快速增长。

该统计数据包含了截至2022年1月全球光刻胶龙头专利公开量。其中，JSR在曝光应用的专利公开量46项。

该统计数据包含了截至2022年1月全球光刻胶龙头专利授权量。其中，JSR在曝光应用类专利授权量14项。

光刻机技术壁垒高空间广阔。IC前道光刻机国产化率严重不足，但封装光刻机以及LED/MEMS/功率器件光刻机国内厂商话语权较高。

本数据记录了2017年全球光刻机市场竞争格局（销售额）,其中ASML占比75.30%

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