数据简介

CMP抛光材料是晶圆表面平坦化的关键耗材。化学机械抛光（CMP）是通过化学试剂的化学腐蚀和纳米磨粒的机械研磨技术结合，实现晶圆表面的高度平坦化。随着芯片制程迭代升级，CMP抛光次数成倍数增长。根据杜邦数据，目前7nm以下逻辑芯片中CMP抛光步骤约三十步，最先进芯片可达四十二步。抛光液和抛光垫是CMP抛光工艺的核心耗材，分别占抛光材料成本比重的49%和33%。