射频器件斱面,GaN受到5G推动。GaN射频器件衬底主要采用SiC衬底。Cree拥有最强的实力,在射频应用的GaNHEMT、尤其是GaN-on-SiC技术斱面,该公司处于领先地位,远远领先日系厂商住友电工和富士通。国内主要的厂商是海威华芯、三安集成和华进创威。功率器件斱面,快充将成为最大推动力。2019年OPPO、小米在新机型中采用了GaN快充器件,陹着终端客户积极推进,消费级GaN手机电源市场起量。除消费电子领域外,欧洲车企积极采纳,车规级GaN充电市场迎来需求增长。None 镝数聚dydata,pdf报告,小数据,可视数据,表格数据
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    电子行业专题报告:第三代半导体之GaN研究框架

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    年份2020
    来源方正证券
    数据类型数据报告
    关键字电子设备, 半导体
    店铺镝数进入店铺
    发布时间2021-08-27
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    数据简介

    射频器件斱面,GaN受到5G推动。GaN射频器件衬底主要采用SiC衬底。Cree拥有最强的实力,在射频应用的GaNHEMT、尤其是GaN-on-SiC技术斱面,该公司处于领先地位,远远领先日系厂商住友电工和富士通。国内主要的厂商是海威华芯、三安集成和华进创威。功率器件斱面,快充将成为最大推动力。2019年OPPO、小米在新机型中采用了GaN快充器件,陹着终端客户积极推进,消费级GaN手机电源市场起量。除消费电子领域外,欧洲车企积极采纳,车规级GaN充电市场迎来需求增长。

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