数据简介

第三代化合物半导体迎来快速成长期。目前绝大多数的集成电路以硅为原材料制作，具有集成度高、稳定性好、功耗低等优点。但摩尔定律逐渐遇到瓶颈，除了更高集成度的发展方向之外，通过不同材料在模拟IC上实现更优质的性能是发展方向之一。同时随着5G、新能源汽车等产业的发展，对高频、高功率、高压的半导体需求，硅基半导体由于材料特性难以完全满足，以GaAs、GaN、SiC为代表的第二代和第三代半导体迎来发展契机。