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半导体行业报告：射频前端，从产业变革到价值增长

射频前端：无线连接的核心，市场空间广阔

射频前端是无线连接的核心，是在天线和射频收发模块间实现信号发送和接收的基础器件。根据QYR Electronics Research Center的统计，2018 年全球射频前端市场达149.1亿美元，目前正是4G网络向5G网络转型升级的阶段，未来全球射频前端市场规模将迎来大规模扩张。预计2023年全球射频前端市场规模将增长至313.10亿美元。

射频前端产业链：IDM主导，Fabless 兴起

射频前端产业是IDM模式最成功的领域。目前IDM模式主导整个射频前端行业。同时射频前端主要产品的市场均被几大国际巨头垄断：Broadcom( Avago ). Skyworks. Qorvo. Murate 四大厂商合计占据全球85%的市场。以高通为代表的Fabless厂商试图凭借基带技术切入射频前端领域；同时以华为为代表的设备商对于上游供应链的把控和“国产替代”需求也将重塑产业链格局，国内设计厂商有望迎来替代机遇，我们看好未来射频前端的国产替代逻辑。

氮化镓：未来5G射频前端新秀

氮化镓是性能优异的第三代半导体材料。氮化镓同时可以满足高功率和高频率的特点，相比硅器件，氮化镓拥有全面的优势。氮化镓主要有三种类型的衬底，我们预计硅基氮化镓( GaN-on-si)将可以以价格为竟争优势替代现有硅和砷化镓技术，前景广阔。YOLE 预计，随着5G的不断发展，氮化镓射频器件的全球市场规模将在2022年达7.55亿美元，年复合增长率CAGR为14%。

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