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电子行业化合物半导体：发展前景广阔，国产替代有望加速

砷化镓半导体: 5G 带动砷化镓需求量新一轮成长，代工经营模式发展壮大

砷化镓主要用于微波功率器件，即工作在微波波段(频率300~300000MHz间)的半导体器件。5G带动砷化镓需求量新一轮成长，根据Strategy Analytics调查数据，2017 年全球砷化镓元件市场总产值约为88.3亿美元，国外IDM厂商抢占砷化镓半导体市场先机，目前全球砷化镓半导体市场份额最大的Skyworks，但砷化镓半导体代工经营模式出现，中国台湾的稳懋成为砷化镓晶圆代工领域龙头。

氮化镓半导体: 微波器件首选材料,功率器件未来应用前景广阔

氮化镓材料由于禁带宽度达到3.4eV，与SIC、 金刚石等半导体材料一起，被誉为第三代半导体材料，也称为宽禁带半导体。由于氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速度大、热导率高、介电常数小、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一，氮化镓大功率器件未来应用前景广阔，全球氮化镓半导体市场潜在规模达94亿美元。

碳化硅半导体: 高功率器件用途广泛，应用市场将逐步拓展

SiC (碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料，不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍,被认为是一种超越Si极限的功率器件用材料。SiC 功率半导体适合用于深井钻探、太阳能逆变器(实现直流与交流的转换)、风能逆变器、电动汽车与混合动力汽车、工业驱动以及轻轨牵引等需要大功率电源转换的应用。

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