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化合物半导体性能优异，发展前景广阔。化合物半导体主要指砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半导体，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多。砷化镓：具有高频、抗辐射、耐高温的特性，大规模应用于无线通讯领域，目前已经成为PA和Switch的主流材料；氮化镓：主要被应用于通讯基站、功率器件等领域，功放效率高、功率密度大，因而能节省大量电能，同时减少基站体积和质量；碳化硅：主要用于大功率高频功率器件，IHS预测到2025年SiC功率半导体的市场规模有望达到30亿美元，在未来的10年内，SiC器件将开始大范围地应用于工业及电动汽车领域，近期碳化硅产业化进度开始加速，意法、英飞凌等中游厂商开始锁定上游晶圆货源。

5G提速，射频市场有望高速成长。4月初，美、韩率先宣布5G商用，日本向四大运营商分配5G频段，预计明年春正式商用。在海外5G积极推进商用的节奏下，全球5G推进提速预期强烈，从基站端到终端射频需求都有望加速增长。在射频器件领域，目前LDMOS、GaAs、GaN三者占比相差不大，预计到2025年，在砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场半壁江山。

化合物芯片国产替代踏上征程，持续加码化合物半导体。我们认为Ⅲ-V族化合物半导体是三安光电下一个十年的核心成长驱动及跟踪重点，5G无线通讯基站、智能手机、WiFi与光纤等高速数据传输、汽车/工业/太阳能等功率芯片，都将对化合物半导体产生强劲的需求。由三安光电研发的Ⅲ-V族化合物半导体材料的应用领城从原有的LED外延片、芯片，延伸到了光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体三个新领城，基本涵盖了今后Ⅲ-V族化合物半导体材料应用的重要领城。

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